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深圳市鑫宇杨电子科技有限责任公司
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NDS9952A MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE
发布时间： 2015/8/3 15:40:08 | 210 次阅读
| 晶体管极性： | N and P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压： | +/- 30 V |
| 闸/源击穿电压： | +/- 20 V |
| 漏极连续电流： | 3.7 A, - 2.9 A |
| 导通电阻： | 80 mOhms |
| 配置： | Dual Dual Drain |
| 工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 Narrow |
| 封装： | Reel |
| 商标： | Fairchild Semiconductor |
| 下降时间： | 5 ns, 8 ns |
| 正向跨导 - 值： | 6 S, 4 S |
| 工作温度： | - 55 C |
| 功率耗散： | 2 W |
| 上升时间： | 13 ns, 21 ns |
| 系列： | NDS9952 |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 典型关闭延迟时间： | 21 ns, 21 ns |
| 零件号别名： | NDS9952A_NL |
| 单位重量： | 187 mg |