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深圳市鑫宇杨电子科技有限责任公司
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APT65GP60B2G
发布时间： 2015/9/5 13:37:55 | 186 次阅读
| 标准包装： | 30 |
| 类别： | 分立式导体产品 |
| 家庭： | IGBT - 单路 |
| 系列： | POWER MOS 7® |
| 包装： | 管件 |
| IGBT 类型： | PT |
| 电压 - 集射极击穿（值）： | 600V |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)： | 2.7V @ 15V，65A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（值）： | 100A |
| Current - Collector Pulsed (Icm)： | 250A |
| 功率 - 值： | 833W |
| Switching Energy： | 605μJ （开）， 896μJ （关） |
| 输入类型： | 标准 |
| Gate Charge： | 210nC |
| Td (on/off) A 25°C： | 30ns/91ns |
| Test Condition： | 400V, 65A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr)： | - |
| 封装/外壳： | TO-247-3 变式 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | * |