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深圳市鑫宇杨电子科技有限责任公司
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IRF830PBF
发布时间： 2015/4/7 10:54:19 | 343 次阅读
| 产品种类： | MOSFET |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压： | 500 V |
| 闸/源击穿电压： | +/- 20 V |
| 漏极连续电流： | 4.5 A |
| 导通电阻： | 1.5 Ohms |
| 配置： | Single |
| 工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 封装： | Tube |
| 商标： | Vishay / Siliconix |
| 下降时间： | 16 ns |
| 工作温度： | - 55 C |
| 功率耗散： | 74 W |
| 上升时间： | 16 ns |
| 工厂包装数量： | 50 |
| 典型关闭延迟时间： | 42 ns |
| 零件号别名： | SIHF840-E3 |
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